삼성전자가 세계 최초로 차세대 공정인 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노(㎚·1나노는 10억분의 1m) 1세대 제품 양산에 돌입했다. 가장 앞선 기술을 기반으로 저전력·고성능 제품 양산을 독점함으로써 다수 팹리스(반도체 설계업체) 고객사들을 확보하는 한편 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 점유율 1위인 대만 TSMC를 맹추격하겠다는 전략이다.
파운드리(반도체 위탁생산) 시장 세계 1위인 TSMC보다 빠른 것으로 3나노 공정이 적용된 반도체를 만들어 제품으로 공급하는 건 삼성이 처음이다. 이번 3나노 공정은 TSMC를 따라잡는 동시에 인텔의 추격을 뿌리칠 삼성의 ‘신무기’로 평가받는다.
반도체 기업의 기술력은 칩 안에서 전기 회로들이 다니는 길인 ‘선폭’을 얼마나 더 좁게 구현하느냐로 평가된다. 이때 사용하는 단위가 나노미터(nm)다. 1나노는 머리카락 굵기의 10만분의 1 수준이다. 미세공정을 실현해 작은 면적에 더 많은 회로를 그릴 수 있으면, 한 장의 웨이퍼(원형의 반도체 기판)로 찍어낼 수 있는 제품 수도 늘어난다. 생산성과 성능을 높이면서 반도체 크기를 줄일 수 있는 것이다.
종전에 7나노와 5나노 공정 제품 양산에서 대만 TSMC에 뒤졌던 삼성전자는 이번에 3나노 공정에서 TSMC를 제치고 고객 확보에 유리한 전환점을 맞게 됐다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 기준 세계 파운드리 시장점유율은 TSMC가 53.6%로 1위이고 삼성전자는 16.3%를 기록해 1위와 격차가 큰 2위에 머무르고 있다.
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